| 加工定制：是 | 品牌：TRION | 型号：Phantom III |
| 用途：反应离子刻蚀 |
北京创世杰公司提供美国Trion公司的Orion III系列等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统、Phantom III系列反应离子刻蚀系统（RIE，DRIE，ICP等）和Apollo型等离子去胶机。美国Trion公司为化合物半导体、MEMS（微机电系统）、光电器件以及其他半导体市场提供多种等离子工艺设备。Trion产品在业内以系统占地面积小，成本合理而著称，且设备及工艺可靠性和稳定性久经考验。产品线既包含成套的批量生产设备，也有用于科研开发的系统。
型号：Phantom III反应离子刻蚀机
设备主要性能指标:
1. 适于研发、实验室、芯片失效分析和小批量生产
2. 采用氟基、氯基、溴基、氧基化学，适合刻蚀铝、砷化镓、钛、铜、铬、硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺、环氧树脂、石墨、钼、钽、钨等薄膜（部分材料需选配预真空腔室）
3. 可使用的工艺气体：Cl2、BCl3、SiCl4、HBr、NF3、SF6、CF4、CHF3、O2等（部分工艺气体需选配预真空腔室）
4. 基片台尺寸为200mm或300mm
5. 基片尺寸300mm，兼容更小尺寸的基片
6. 标配功率600W、频率13.56MHz的射频等离子激发源（电容源），含自动阻抗匹配网络
7. 从反应腔室顶盖处直接装卸基片
8. 配备工艺压力下游自动控制系统
9. 标配4路，最多7路质量流量计控制的工艺气路，采用超洁净管路及VCR接头
10. 基于计算机的配方式工艺控制系统，彩色触摸屏操控
11. （可选）增加功率600W或1250W、频率13.56MHz的ICP高密度等离子激发源（电感源），改善刻蚀速率、刻蚀选择比、形貌控制、均匀性并且减少离子损伤
12. （可选）基片温度控制-冷却或加热
13. （可选）在线刻蚀终点监测系统EPD
14. （可选）油泵、干泵及分子泵
15. （可选）静电卡盘基片台
16. （可选）预真空锁腔室
17. （可选）ICP电感应耦合等离子源
同时，本公司还可以提供美国Trion公司用于批量生产型的Titan型和Oracle III型多腔室型生产型的等离子增强化学气相沉积系统PECVD和反应离子刻蚀系统RIE（含ICP、HDICP、深硅刻蚀等）。
